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淺談快速退火爐控溫

作者╃╃│₪:admin 瀏覽量╃╃│₪:778 來源╃╃│₪:本站 時間╃╃│₪:2021-10-22 18:20:25

資訊摘要╃╃│₪:

RTP的一個關鍵因素是溫度的測量和控制•☁。快速熱退火(Rapid thermal processing₪✘•✘,RTP)是將晶片快速加熱到設定溫度₪✘•✘,進行短時間快速退火的方法₪✘•✘,熱處理時間通常小於1~2分鐘•☁。過去幾年間₪✘•✘,RTP已逐漸成為先進半導體制造必不可少的一項工藝₪✘•✘,用於氧化│╃││、退火│╃││、金屬矽化物的行程和快速熱化學沉積•☁。RTP系統採用輻射熱源對晶片進行一

RTP的一個關鍵因素是溫度的測量和控制•☁。快速熱退火(Rapid thermal processing₪✘•✘,RTP)是將晶片快速加熱到設定溫度₪✘•✘,進行短時間快速退火的方法₪✘•✘,熱處理時間通常小於1~2分鐘•☁。過去幾年間₪✘•✘,RTP已逐漸成為先進半導體制造必不可少的一項工藝₪✘•✘,用於氧化│╃││、退火│╃││、金屬矽化物的行程和快速熱化學沉積•☁。

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RTP系統採用輻射熱源對晶片進行一片一片的加熱₪✘•✘,溫度測量和控制透過高溫計完成•☁。
RTP可快速升至工藝要求的溫度₪✘•✘,並快速冷卻₪✘•✘,此外₪✘•✘,RTP還可以出色地控制工藝氣體•☁。因此₪✘•✘,RTP可以在一個工藝程式中完成複雜的多階段熱處理工藝•☁。RTP快速升溫│╃││、短時間快速處理的能力很重要₪✘•✘,因為先進半導體制造要求儘可能縮短熱處理時間│╃││、限制雜質擴散程度•☁。
RTP系統中₪✘•✘,熱源直接面對晶片表面₪✘•✘,而不是如批處理高溫爐那樣對矽片邊緣進行加熱•☁。因此₪✘•✘,RTP系統處理大直徑晶片時不會影響工藝處理的均勻性和升(降)溫速度•☁。
然而₪✘•✘,晶片表面的器件分佈圖形(pattern)會給溫度帶來一些影響和限制•☁。因此RTP系統加熱晶片時採用的是輻射性熱源₪✘•✘,溫度會受到光學性質的影響•☁。隨著器件尺寸的不斷微縮和對工藝處理均勻性的要求變得更加苛刻₪✘•✘,如何最佳化加熱結構₪✘•✘,減少“圖形效應”已成為一個重要的研究領域•☁。目前解決“圖形效應”的辦法₪✘•✘,包括減少晶片表面入射能量的雙面加熱方法₪✘•✘,以及採用與晶片溫度接近的熱源對有圖形的一面進行照射的方法•☁。

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