快速熱氧化（RTO）工藝可以在適當的高溫下透過精確控制的氣氛來實現短時間生長薄氧化層╃•╃☁│。氧化層具有很好的擊穿特性☁·╃│·，電效能上耐用堅固╃•╃☁│。
隨著電晶體關鍵尺寸的縮小☁·╃│·，柵氧化層的厚度也變得很薄╃•╃☁│。最薄的柵氧化層只有15Å☁·╃│·，而且由於柵漏電流越來越大☁·╃│·，這個厚度已經不能再減小╃•╃☁│。當這樣薄的柵氧化層使用多晶圓批次系統如氧化爐時☁·╃│·，很難精確控制氧化層的厚度和晶圓對晶圓的均勻性╃•╃☁│。使用單晶圓RTP系統生長高質量超薄氧化層有許多優點☁·╃│·，由於RTP系統能精確控制整片晶圓的溫度均勻性☁·╃│·，因此快速加熱氧化（RTO）系統能生長薄且均勻的氧化層╃•╃☁│。
均勻溫度分佈產生的晶片內的熱塑性☁·╃│·，對RTO均勻性有著至關重要的影響╃•╃☁│。
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