傳統爐管和RTP快速熱處理工藝對比

傳統熱處理工藝採用的是批處理式高溫爐☁✘╃，一大批矽片在同一爐管中同時受熱₪╃◕₪·。它適合於處理時間相對較長（超過10分鐘）的熱處理過程₪╃◕₪·。而RTP系統採用輻射熱源對矽片進行一片一片的加熱☁✘╃，溫度測量和控制透過高溫計完成₪╃◕₪·。

爐管通常有三種↟↟☁↟：傳統的臥式╃↟││、立式爐管和快速熱處理器₪╃◕₪·。
RTP是一種單片熱處理工藝☁✘╃，它可以快速升至工藝要求的溫度（200℃-1200℃）☁✘╃，並快速冷卻☁✘╃，通常升溫速度為20~250℃/s☁✘╃，此外☁✘╃，RTP還可以出色的控制工藝氣體₪╃◕₪·。因此☁✘╃，RTP可以在一個選單中完成複雜的多階段熱處理工藝₪╃◕₪·。RTP快速升溫╃↟││、短時間熱處理的能力很重要☁✘╃，因為先進半導體制造要求儘可能縮短熱處理時間和限制雜質擴散程度₪╃◕₪·。用RTP取代慢速熱處理工藝還可以大大縮短生產週期☁✘╃，因此對於合格率提升階段來說RTP技術特別有價值₪╃◕₪·。
傳統爐管和快速熱處理技術比較如下↟↟☁↟：

我們看出爐管要長時間加熱和冷卻而浪費大量生產時間☁✘╃，並且爐管有大的熱預算╃↟││、氣氛控制難等缺點₪╃◕₪·。而快速退火技術以溫度均勻性好╃↟││、矽片間的重複性好╃↟││、雜質運動最小╃↟││、快速加熱產生應力小╃↟││、絕對溫度測量準確等優勢取代傳統爐管₪╃◕₪·。