碳化矽快速退火爐││☁▩，瑞樂碳化矽載盤簡介

瑞樂碳化矽載盤簡介

碳化矽載盤（也成碳化矽托盤）在半導體行業具有廣泛應用││☁▩，CVD☁✘、RTP/RTA☁✘、真空濺射☁✘、刻蝕☁✘、蒸鍍☁✘、氣體沉澱等││☁▩，比如││☁▩，在對襯底進行刻蝕時││☁▩，需透過碳化矽載盤承載半導體襯底₪▩·。

碳化矽載盤材質成分是純SiC（純度＞99.9%）││☁▩，與石墨基載盤相比││☁▩，其使用壽命是後者的四倍││☁▩，且長期使用不變形││☁▩，穩定性好││☁▩，能夠耐各種強酸強鹼化學試劑腐蝕（比如FH酸☁✘、濃H₂SO₄）₪▩·。SiC載盤還具有優秀的導熱性☁✘、低膨脹係數││☁▩，抗熱衝擊性佳││☁▩，耐電漿衝擊性等特點₪▩·。

碳化矽載盤是採用高純超細碳化矽微粉││☁▩，透過靜壓工藝成型☁✘、經2450℃高溫燒結而制成₪▩·。可根據使用者設計圖紙要求進行外徑☁✘、厚度尺寸││☁▩，穴位數量☁✘、尺寸☁✘、取片槽位置和形狀進行精加工││☁▩，以滿足使用者的具體使用要求₪▩·。

8基本引數

8主要優勢與特點

碳化矽載盤││☁▩，可根據不同工藝其名稱不一樣││☁▩，比如││☁▩，碳化矽刻蝕盤││☁▩，ICP刻蝕盤││☁▩，LED刻蝕用碳化矽托盤（SIC托盤）等₪▩·。其主要功能特點如下↟◕•：

►耐高溫--1800℃溫度下正常使用；

►高熱導性--和石墨材料的導熱性相當；

►硬度高--硬度僅次於金剛石☁✘、立方氮化硼；

►耐腐蝕--強酸☁✘、強鹼對其無任何腐蝕││☁▩，抗腐蝕性優於碳化鎢和氧化鋁；

►重量輕--密度3.10g/cm³,與鋁接近；

►不變形--極小的熱膨脹係數；

►抗熱震--該材料可承受急劇的溫度變化││☁▩，抗熱衝擊││☁▩，耐急冷急熱││☁▩，效能穩定₪▩·。

8典型應用

·LED晶片製造中的RTP /RTA快速高溫熱處理工藝

·CVD☁✘、MOCVD☁✘、真空磁控濺射

·刻蝕☁✘、蒸鍍☁✘、氣體沉澱

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