我們專注於紅外退火爐,紅外退火爐裝置,紅外快速退火爐,紅外快速退火爐裝置,高溫快速退火爐,高溫快速退火爐廠家,太陽能多晶矽基片,太陽能多晶矽基片廠家
專業的紅外退火爐,紅外快速退火爐廠家專注於高溫快速退火爐╃│·•、高溫快速退火爐裝置研發生產
全國諮詢熱線•◕◕·:0757-82560052
聯絡我們

【 微信掃碼諮詢 】

0757-82560052

13702970020

您的位置•◕◕·: 首頁>新聞中心>行業新聞

太陽能多晶矽基片多晶矽的製造方法和裝置以及太陽能電池用矽基片的製造方法

作者•◕◕·:admin 瀏覽量•◕◕·:708 來源•◕◕·:本站 時間•◕◕·:2022-02-22 09:52:01

資訊摘要•◕◕·:

太陽能多晶矽基片多晶矽的製造方法和裝置以及太陽能電池用矽基片的製造方法▩╃·↟•,尤其是涉及一種以金屬矽或氧化矽為起始原料▩╃·↟•,透過一系列工序的流水作業來製造作為最終制品的太陽能電池用多晶矽基片的生產技術↟│。背景技術•◕◕·:關於太陽能電池方面的研究已經進行了很長時間▩╃·↟•,最近已出現了一種在地上太陽光下其光電轉換效率達到13~15

太陽能多晶矽基片多晶矽的製造方法和裝置以及太陽能電池用矽基片的製造方法▩╃·↟•,尤其是涉及一種以金屬矽或氧化矽為起始原料▩╃·↟•,透過一系列工序的流水作業來製造作為最終制品的太陽能電池用多晶矽基片的生產技術↟│。
背景技術•◕◕·:
關於太陽能電池方面的研究已經進行了很長時間▩╃·↟•,最近已出現了一種在地上太陽光下其光電轉換效率達到13~15%左右的太陽能電池▩╃·↟•,並在各種不同用途方面逐步達到了實用化↟│。然而▩╃·↟•,作為一般家庭用電力或者汽車╃│·•、船舶╃│·•、工作機械等方面的能源▩╃·↟•,至少在我國尚不能說已十分普及↟│。其原因是至今尚沒有建立能夠廉價地大量生產用於製造太陽能電池所必需的矽基片技術↟│。
現在▩╃·↟•,為了製造太陽能電池用的矽基片▩╃·↟•,使用化學方法已經能夠以原料純度低的金屬矽(99.5重量%的Si)作為起始原料▩╃·↟•,直接地製得適合作為半導體使用而且成為塊狀的高純度矽↟│。進而使用冶金方法將該塊狀的高純度矽再熔融並將其調整成為適合於太陽能電池的化學組成▩╃·↟•,然後用拉制法或定向凝固法將所獲的熔體制成矽錠▩╃·↟•,最後將該矽錠切成(slice)薄片↟│。也就是說▩╃·↟•,如圖5所示那樣▩╃·↟•,首先將金屬矽與鹽酸反應▩╃·↟•,氣化成三氯矽烷▩╃·↟•,透過將該氣體精餾而除去其中的雜質▩╃·↟•,然後使其與氫氣反應▩╃·↟•,按照所謂的CVD(化學氣相沉積)法使其由氣體析出高純度的矽↟│。因此▩╃·↟•,所獲的高純度矽僅僅成為一種結晶粒子之間的結合力很弱的▩╃·↟•,僅由矽粒子組成的集合體↟│。另外▩╃·↟•,在形成該集合體的高純度矽中所含的硼即使降低到0.001ppm左右▩╃·↟•,也不能滿足作為P-型半導體用基板所要求的比電阻0.5~1.5Ω·cm的規格要求↟│。為了將上述的高純矽用於太陽能電池▩╃·↟•,必須調整其比電阻並控制其結晶性▩╃·↟•,以便獲得單晶或者具有數mm以上粒徑的結晶▩╃·↟•,並且使得其晶界不會對光電轉換效率產生不良影響▩╃·↟•,因此▩╃·↟•,上述的高純矽在該狀態下不能直接製成基片↟│。然後▩╃·↟•,如圖5的右側所示▩╃·↟•,還必須經歷將該塊狀物再熔融╃│·•、對熔體成分進行調整(新增硼)╃│·•、錠塊化(對單晶採用拉制法▩╃·↟•,對多晶採用定向凝固法)並形成基片的工序↟│。
然而▩╃·↟•,所說的以往的製造方法還必須對那些已經達到能夠適用於半導體的高純度矽錠再次進行成分調整(主要是新增硼)和精製▩╃·↟•,以便使其適用於太陽能電池▩╃·↟•,這樣不但工藝過程複雜▩╃·↟•,合格率低▩╃·↟•,而且還需要再熔化的裝置和外加的能量▩╃·↟•,因此製造成本高↟│。因此▩╃·↟•,正如上述▩╃·↟•,現在能夠購買到的太陽能電池都是高價的產品▩╃·↟•,這就成為妨礙它獲得廣泛普及的障礙↟│。另外▩╃·↟•,按照化學方法▩╃·↟•,為了使金屬矽達到高純度▩╃·↟•,無法避免地產生大量的矽烷╃│·•、氯化物等汙染環境的物質▩╃·↟•,成為阻礙它達到大量生產的障礙▩╃·↟•,因此也有問題↟│。另外▩╃·↟•,由於受到上述製造方法的影響▩╃·↟•,最近公開的技術研究趨勢是將製造工序更加細分▩╃·↟•,例如金屬矽的高純化和凝固技術等↟│。
例如▩╃·↟•,特開平5-139713號公報公開了一種“獲得低硼含量的矽的方法▩╃·↟•,該方法是在一個由二氧化矽或以二氧化矽為主成分的容器內保持著熔融的矽▩╃·↟•,在該熔體的表面上噴射一種惰性氣體的等離子氣體射流▩╃·↟•,同時從該容器的底部吹入惰性氣體”↟│。另外▩╃·↟•,特開平7-17704號公報公開了一種“高效率地除硼的方法▩╃·↟•,該方法是在使用電子束來熔化金屬矽時▩╃·↟•,在金屬矽粉的表面上▩╃·↟•,相對於每1kg矽▩╃·↟•,預先形成1.5~15kg的SiO2”↟│。另外▩╃·↟•,關於凝固技術▩╃·↟•,特開昭61-141612號公報提出了一種“防止在矽錠中析出夾雜物的技術▩╃·↟•,該技術是在將熔融的矽澆鑄入鑄模中時使該鑄模旋轉”↟│。另外▩╃·↟•,本申請人自己也在特願平7-29500號(申請日為平成7年2月17日)中提出了一種“透過使熔融金屬矽進行定向凝固來進行精製的方法”↟│。
另一方面▩╃·↟•,由金屬矽直接製造太陽能電池用矽的技術並不是沒有↟│。例如▩╃·↟•,特開昭62-252393號公報公開了一種區域熔融法(Zonemelting)▩╃·↟•,該方法是將一種曾經作為半導體使用的電子工業的廢矽作為起始原料▩╃·↟•,使用氬╃│·•、氫和氧的混合氣產生的等離子體射流將所說原料進行區域熔融處理↟│。然而▩╃·↟•,該方法只是一種利用工業廢物的方法▩╃·↟•,不能成為一種需要大量生產矽基片的主流技術↟│。另外▩╃·↟•,雖然原料矽使用經濟▩╃·↟•,但是一旦要求高純度化▩╃·↟•,則該方法就不能成為上述麻煩的製造方法的代替技術↟│。另外▩╃·↟•,特開昭63-218506號公報公開了一種透過等離子體熔融由粉末狀╃│·•、顆粒狀或未經磨削的金屬矽製造太陽能電池用或電子儀器用的塊狀矽的方法↟│。然而▩╃·↟•,該方法的原理與上述特開昭62-252393號公報相同▩╃·↟•,都是使用等離子體的區域熔融法▩╃·↟•,存在電能消耗大和不能大量生產的缺點↟│。另外▩╃·↟•,該公報的實施例只不過是按實驗室規模獲得50g左右的棒狀矽▩╃·↟•,對於達到實用大小的太陽能電池用矽基片則沒有記載↟│。
發明的公開鑑於上述情況▩╃·↟•,太陽能多晶矽基片的目的是提供一種由金屬矽或氧化矽作為起始原料▩╃·↟•,透過一系列的連續工序進行流水作業▩╃·↟•,廉價而且大量地生產作為製品的多晶矽和使用該多晶矽製造的基片的製造方法和裝置↟│。

線上客服
聯絡方式

熱線電話

13702970020

上班時間

週一到週五

公司電話

0757-82560052

二維碼
国产chinese实践打屁股3,秋霞影院18禁止进入免费,18末年禁止进入免费网站,无码精品a∨在线观看中文