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淺談國內和國外的真空退火爐技術│◕│╃!

作者╃↟↟✘₪:admin 瀏覽量╃↟↟✘₪:720 來源╃↟↟✘₪:本站 時間╃↟↟✘₪:2022-02-22 20:44:01

資訊摘要╃↟↟✘₪:

淺談國內和國外的真空退火爐技術│◕│╃!在國外✘•,由於半導體產業發展較迅速✘•,對快速退火爐系統的研究起步比較早◕•╃▩•。世界上第一臺實用的快速退火爐系統是由美國最大的半導體制造商Varian公司在1981年推出◕•╃▩•。目前在國外快速退火爐主要生產和研究單位有美國的MPT╃✘、應用材料╃✘、AG, Mattson等公司;德國的AST,法國JIPELEC等◕•╃▩•。這些公司

淺談國內和國外的真空退火爐技術│◕│╃!


 在國外✘•,由於半導體產業發展較迅速✘•,對快速退火爐系統的研究起步比較早◕•╃▩•。世界上第一臺實用的快速退火爐系統是由美國最大的半導體制造商Varian公司在1981年推出◕•╃▩•。目前在國外快速退火爐主要生產和研究單位有美國的MPT╃✘、應用材料╃✘、AG, Mattson等公司;德國的AST,法國JIPELEC等◕•╃▩•。這些公司普遍採用燈光輻射型的加熱方式◕•╃▩•。

   主要技術表現為兩種:一種是以美國AG╃✘、MPT╃✘、德國AST等公司為代表的單點測溫技術╃✘、熱源為線狀光源(燈管)的雙面加熱形式✘•,利用紅外熱輻射加熱的原理對矽晶片直接加熱實現◕•╃▩•。另一種是美國應用材料公司獨特的多點側沮技術╃✘、熱源採用點狀光源(燈泡)╃✘、單面加熱形式✘•,球形燈泡發出的光經過高透過率的石英視窗進入反應腔內對位於矽片支排環上的矽片加熱✘•,溫度訊號檢側是透過多個響應時間非常快的紅外式探針來實時檢測✘•,品片在加熱過程中高速旋轉✘•,使得晶片表面與反應氣體之間的接觸機率相差無幾◕•╃▩•。

   平穩旋轉的托架帶動晶片表面的氣體分子形成紊流模式✘•,這對於提高退度的均勻性有很大作用✘•,雖然後一種工作形式在溫度測量與控制精度✘•,退火均勻性方面有非常好 的優越性✘•,但在結構設計及控制系統設計方面非常複雜✘•,因此頂立科技公司認為其售價也相當昂貴✘•,許多半導體生產廠商都望而卻步✘•,目前在國內也只有中芯國際這樣高階的IC製造線在使用✘•,其餘的IC廠商普遍採用前一種型別的快速退火爐系統◕•╃▩•。


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