快速退火爐（Rapid Thermal Processing╃·▩，RTP）採用紅外輻射加熱技術╃·▩，可實現樣品的快速升溫和降溫╃·▩，同時搭配超高精度溫度控制系統╃·▩，可達到極佳的溫場均勻性╃·▩，適用工藝包括和離子注入工藝結合使用以實現晶圓摻雜│◕↟、金屬薄膜沉積後金屬矽化物燒結│◕↟、晶圓表面改性（氧化│◕↟、氮化）等╃₪。
晶片的製造過程可以分為前道工藝和後道工藝╃₪。前道是指晶圓製造廠的加工過程╃·▩，在空白的矽片上完成電路的加工╃·▩，出廠產品是完整的圓形矽片╃₪。後道是指封裝和測試的過程╃·▩，在封測廠中將圓形的矽片切割成單獨的晶片顆粒╃·▩，完成外殼的封裝╃·▩，最後完成終端測試╃·▩，出廠為晶片成品╃₪。
積體電路前道晶片製造工藝熱處理流程
在前道工藝的離子注入過程中╃·▩，高能摻雜物離子（硼│◕↟、磷等）會對晶圓表面的矽晶體結構造成破壞╃₪。所以在離子注入後必須利用加熱退火工藝對晶格的損傷進行修復╃·▩，使其恢復單晶結構並激活摻雜物╃·▩，當摻雜原子在單晶晶格位置時╃·▩，才能有效提供電子或空穴作為傳導電流的主要載流子╃₪。
因此╃·▩，快速退火爐在半導體工藝裝置中是不可或缺的一員╃₪。雖然快速退火爐屬於相對技術難度較低的領域╃·▩，但在早期的市場競爭中╃·▩，還是被歐美日韓等外國企業佔據了主導地位╃₪。尤其是高階的快速退火爐╃·▩，國內科研單位和高等院校的使用需求往往被外國企業苛刻的條件和高昂的價格所限制╃₪。
以美國為首的西方國家對中國的限制打擊由來已久╃·▩，96年簽訂的《瓦森納協議》已成為主要針對中國並實行“落差戰略”的可怕武器╃₪。這也是導致中國著名的“908工程”和“909工程”的未能達到預期的目標╃₪。現今中國因為缺少原創技術╃·▩，高階技術裝備也被層層加鎖╃₪。尤其是半導體行業╃·▩，由於某些高階的半導體裝置的限制入口╃·▩，中國高階積體電路（晶片）嚴重依賴進口╃₪。根據國家統計局資料顯示╃·▩，2021年╃·▩，我國進口的積體電路（晶片）╃·▩，達到27935億元│↟▩！而且增速達到了15.4%│↟▩！
2015年3月5日╃·▩，李克強在全國兩會上作《政府工作報告》時首次提出“中國製造2025”的宏大計劃╃₪。2015年3月25日╃·▩，李克強組織召開國務院常務會議╃·▩，部署加快推進實施“中國製造2025”╃·▩，實現製造業升級╃₪。也正是這次國務院常務會議╃·▩，審議通過了《中國製造2025》╃₪。2015年5月19日╃·▩，國務院正式印發《中國製造2025》╃₪。
中國製造2025
《中國製造2025》的目的是改變我國從低端製造商到高階生產商的認知╃·▩，改變我國工業水平大而不強的局面╃·▩，減少中國對外國技術的依賴╃·▩，最終推動中國技術製造商進入全球市場╃₪。正是在此國家行動綱領下╃·▩，中國的國產化浪潮迎來了爆發期╃₪。而國內快速退火爐領域的製造商也如雨後春筍╃·▩，突破了歐美日等企業的壓制╃·▩，推出了趕超外國品牌的產品╃₪。這些自主研發製造的快速退火爐已經廣泛應用於國內各大高校和科院院所╃·▩，實現了“國產替代”目標│↟▩！
應用廣泛的國產快速退火爐
但國產退火爐想要進入全球市場還有很長的路要走│↟▩！尤其是歐美等國企業並沒有放棄對中國技術製造商的圍追堵截│↟▩！這些企業的手段也頗有用心│↟▩！當某種裝置或產品無法國產時╃·▩，他們往往會以較貴的價格對華出售│↟▩！這樣不僅能賺取大量的利潤╃·▩，而且可以打擊某些研發者或決策者的信念│↟▩！既然能用錢買到╃·▩，又何必花大量的精力和金錢去研發製造•╃◕↟▩？
而當我們花費大量精力和金錢研發製造出這種裝置或產品時╃·▩，由於技術的積累和領先╃·▩，歐美等國企業會馬上以極低的價格進行傾銷╃·▩，並適時推出效能引數領先新款裝置或產品│↟▩！這往往導致國內自主研發企業血本無歸甚至破產倒閉│↟▩！這種情況╃·▩，在半導體制造等高科技領域極其常見│↟▩！如果沒有國家的政策和資金支援╃·▩，這些手段國內幾乎沒有任何企業能承受│↟▩！
當雪崩發生時╃·▩，沒有一片雪花是無辜的│↟▩！而當火箭一飛沖天時╃·▩，沒有一個零件是無用的│↟▩！完成“中國製造2025”的目標╃·▩，不僅需要我國技術製造商迎難而上╃·▩，挺身打破西方封鎖╃·▩，而且也需要我國廣大使用者的大力支援│↟▩！目前╃·▩，國內優秀的快速退火爐製造商╃·▩，如屹唐半導體│◕↟、武漢嘉儀通科技等╃·▩，已經完成了或即將完成快速退火爐系類產品的佈局╃·▩，這些裝置的效能不僅可以媲美洋貨╃·▩，而且在某些技術引數上已經領先於它們│↟▩！
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