GaN快速退火爐使用方便│▩，易於操作│▩，加熱元件採用紅外燈管│▩，加熱速度快│▩，節省時間↟☁▩。滑動法蘭簡化了樣品的裝卸過程│▩，操作方便│▩，可快速獲得實驗結果│▩，省去了重複的法蘭安裝過程│▩，減少了爐管安裝造成的損壞↟☁▩。那麼你知道它該有怎樣的配置和特點嗎·╃•↟│？
GaN快速退火爐適用於CVD工藝│▩，例如碳化矽塗層│▩，陶瓷基板電導率測試│▩，ZnO奈米結構的受控生長│▩，陶瓷電容器（MLCC）氣氛燒結和其他實驗↟☁▩。此CVD系統配置☁☁│：1200度開放式真空管式爐（可選單溫度區│▩，雙溫度區）↟☁▩。多通道質量流量控制系統│▩，真空系統（可以選擇中真空或高真空）↟☁▩。
1│╃╃·、控制電路採用模糊PID程式控制技術│▩，具有溫度控制精度高│▩，熱慣性低│▩，溫度超調│▩，效能可靠│▩，操作簡單的特點↟☁▩。
2│╃╃·、氣路快速連線法蘭結構採用公司*的智慧財產權設計│▩，提高了操作的便利性↟☁▩。
3│╃╃·、中真空系統具有自動控制真空度上限和下限的功能│▩，高真空系統使用高壓耐衝擊分子泵↟☁▩。
GaN快速退火爐易於操作│▩，加熱元件採用紅外燈管│▩，加熱速度快│▩，節省時間↟☁▩。滑動法蘭簡化了樣品的裝卸過程│▩，操作方便↟☁▩。實驗結果可以很快獲得│▩，並且省去了重複的方法│▩，藍色的安裝過程減少了由於安裝引起的爐管損壞↟☁▩。
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