我們專注於紅外退火爐,紅外退火爐裝置,紅外快速退火爐,紅外快速退火爐裝置,高溫快速退火爐,高溫快速退火爐廠家,太陽能多晶矽基片,太陽能多晶矽基片廠家
專業的紅外退火爐,紅外快速退火爐廠家專注於高溫快速退火爐│╃╃·、高溫快速退火爐裝置研發生產
全國諮詢熱線☁☁│:0757-82560052
聯絡我們

【 微信掃碼諮詢 】

0757-82560052

13702970020

您的位置☁☁│: 首頁>產品展示>半自動快速退火爐

快速退火爐RTP-SA-12

快速退火爐RTP-300RL產品介紹一│╃╃·、簡介1.1 概要RTP-300RL是在保護氣氛下的半自動立式快速退火系統│▩,以紅外可見光加熱單片 Wafer或樣品│▩,工藝時間短│▩,控溫精度高│▩,適用4-12英寸晶片↟☁▩。相對於傳統擴散爐退火系統和其他RTP系統│▩,其獨特的腔體設計│╃╃·、先進的溫度控制技術和獨有的RL900軟體控制系統│▩,確保了極好的熱均勻性↟☁▩。&n

線上諮詢全國熱線
0757-82560052

快速退火爐RTP-SA-12產品介紹

一│╃╃·、簡介
1.1 概要
RTP-SA-12是在保護氣氛下的半自動立式快速退火系統│▩,以紅外可見光加熱單片 Wafer或樣品│▩,工藝時間短│▩,控溫精度高│▩,適用4-12英寸晶片↟☁▩。相對於傳統擴散爐退火系統和其他RTP系統│▩,其獨特的腔體設計│╃╃·、先進的溫度控制技術和獨有的RL900軟體控制系統│▩,確保了極好的熱均勻性↟☁▩。
 
 
1.2 產品特點

  •  紅外鹵素燈管加熱│▩,冷卻採用風冷

  •  燈管功率PID控溫│▩,可精準控制溫度升溫│▩,保證良好的重現性與溫度均勻性

  •  採用平行氣路進氣方式│▩,氣體的進入口設定在Wafer表面│▩,避免退火過程中冷點產生│▩,保證產品良好的溫度均勻性

  •  大氣與真空處理方式均可選擇│▩,進氣前氣體淨化處理

  •  標配兩組工藝氣體│▩,最多可擴充套件至6組工藝氣體

  •  可測單晶片樣品的最大尺寸為12英寸(300×300mm)

  •  採用爐門安全溫度開啟保護│╃╃·、溫控器開啟許可權保護以及裝置急停安全保護三重安全措施│▩,全方位保障儀器使用安全

 
1.3 RTP行業應用

  •  氧化物│╃╃·、氮化物生長

  •  矽化物合金退火

  •  砷化鎵工藝

  •  歐姆接觸快速合金

  •  氧化迴流

  •  其他快速熱處理工藝

  •   離子注入啟用

行業領域☁☁│:

  •   晶片製造 生物醫學 奈米技術

  •   MEMS LEDs 太陽能電池

  •   化合物產業 ☁☁│:GaAs│▩,GaN│▩,GaP│▩,

  •   GaInP│▩,InP│▩,SiC

  •   光電產業☁☁│:平面光波導│▩,鐳射│▩,VCSELs

 
 
 
二│╃╃·、技術規格
2.1引數

RTP-SA-12
最大產品尺寸4-12英寸晶圓或者最大支援300×300mm產品
溫度範圍室溫~1250℃
最高升溫速度150℃/s
溫度均勻度±1%
溫控方式快速PID溫控
降溫速度200℃/min(1000~400℃)
腔體設計可配置大氣常壓腔體或者真空腔體
腔體冷卻方式水冷腔體│▩,獨立水冷源控制冷卻
襯底冷卻方式氮氣吹掃
工藝氣體MFC控制│▩,常規兩路氣體│▩,最大可擴充至6路氣體

 
 
 
 快速退火爐RTP-300RL可製作的產品
 

 
 
 
 
 
  快速退火爐RTP-300RL生產線一覽
 



技術規格
2.1引數

RTP-SA-12
最大產品尺寸4-12英寸晶圓或者最大支援300×300mm產品
溫度範圍室溫~1250℃
最高升溫速度150℃/s
溫度均勻度±1%
溫控方式快速PID溫控
降溫速度200℃/min(1000~400℃)
腔體設計可配置大氣常壓腔體或者真空腔體
腔體冷卻方式水冷腔體│▩,獨立水冷源控制冷卻
襯底冷卻方式氮氣吹掃
工藝氣體MFC控制│▩,常規兩路氣體│▩,最大可擴充至6路氣體


線上客服
聯絡方式

熱線電話

13702970020

上班時間

週一到週五

公司電話

0757-82560052

二維碼
 
国产chinese实践打屁股3,秋霞影院18禁止进入免费,18末年禁止进入免费网站,无码精品a∨在线观看中文