快速退火爐RTP-SA-12產品介紹
一│╃╃·、簡介
1.1 概要
RTP-SA-12是在保護氣氛下的半自動立式快速退火系統│▩,以紅外可見光加熱單片 Wafer或樣品│▩,工藝時間短│▩,控溫精度高│▩,適用4-12英寸晶片↟☁▩。相對於傳統擴散爐退火系統和其他RTP系統│▩,其獨特的腔體設計│╃╃·、先進的溫度控制技術和獨有的RL900軟體控制系統│▩,確保了極好的熱均勻性↟☁▩。
1.2 產品特點
紅外鹵素燈管加熱│▩,冷卻採用風冷
燈管功率PID控溫│▩,可精準控制溫度升溫│▩,保證良好的重現性與溫度均勻性
採用平行氣路進氣方式│▩,氣體的進入口設定在Wafer表面│▩,避免退火過程中冷點產生│▩,保證產品良好的溫度均勻性
大氣與真空處理方式均可選擇│▩,進氣前氣體淨化處理
標配兩組工藝氣體│▩,最多可擴充套件至6組工藝氣體
可測單晶片樣品的最大尺寸為12英寸(300×300mm)
採用爐門安全溫度開啟保護│╃╃·、溫控器開啟許可權保護以及裝置急停安全保護三重安全措施│▩,全方位保障儀器使用安全
1.3 RTP行業應用
氧化物│╃╃·、氮化物生長
矽化物合金退火
砷化鎵工藝
歐姆接觸快速合金
氧化迴流
其他快速熱處理工藝
離子注入啟用
行業領域☁☁│:
晶片製造 生物醫學 奈米技術
MEMS LEDs 太陽能電池
化合物產業 ☁☁│:GaAs│▩,GaN│▩,GaP│▩,
GaInP│▩,InP│▩,SiC
光電產業☁☁│:平面光波導│▩,鐳射│▩,VCSELs
二│╃╃·、技術規格
2.1引數
RTP-SA-12 | |
最大產品尺寸 | 4-12英寸晶圓或者最大支援300×300mm產品 |
溫度範圍 | 室溫~1250℃ |
最高升溫速度 | 150℃/s |
溫度均勻度 | ±1% |
溫控方式 | 快速PID溫控 |
降溫速度 | 200℃/min(1000~400℃) |
腔體設計 | 可配置大氣常壓腔體或者真空腔體 |
腔體冷卻方式 | 水冷腔體│▩,獨立水冷源控制冷卻 |
襯底冷卻方式 | 氮氣吹掃 |
工藝氣體 | MFC控制│▩,常規兩路氣體│▩,最大可擴充至6路氣體 |
快速退火爐RTP-300RL可製作的產品
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