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SiC碳化矽載盤

碳化矽載盤◕↟,碳化矽刻蝕盤◕↟,ICP刻蝕盤LED刻蝕用碳化矽托盤(SIC托盤)φ600mm是深矽刻蝕(ICP刻蝕機)專用的配件晶圓載盤◕↟,也有稱為晶圓承載盤•·、矽片承載盤,英文稱為Pocket Wafer•••。在半導體的CVD•·、真空濺射等方面具有廣泛應用•••。我們可以為客戶提供矽•·、碳化矽材料的定製晶圓載盤◕↟,以滿足客戶不同的應用需求•••。可以提供帶真空孔

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碳化矽載盤◕↟,碳化矽刻蝕盤◕↟,ICP刻蝕盤

LED刻蝕用碳化矽托盤(SIC托盤)φ600mm是深矽刻蝕(ICP刻蝕機)專用的配件

晶圓載盤◕↟,也有稱為晶圓承載盤•·、矽片承載盤,英文稱為Pocket Wafer•••。在半導體的CVD•·、真空濺射等方面具有廣泛應用•••。我們可以為客戶提供矽•·、碳化矽材料的定製晶圓載盤◕↟,以滿足客戶不同的應用需求•••。

可以提供帶真空孔的承載盤•·、各種異形內槽的承載盤等•••。

碳化矽陶瓷製品◕↟,採用高純超細碳化矽微粉◕↟,經2450℃高溫燒結而成◕↟,碳化矽含量在99.1%以上◕↟,製品密度≥3.10g/cm3,不含金屬矽等金屬雜質•••。

►耐高溫--1800℃溫度下正常使用;

►高熱導性--和石墨材料的導熱性相當;

►硬度高--硬度僅次於金剛石•·、立方氮化硼;

►耐腐蝕--強酸•·、強鹼對其無任何腐蝕◕↟,抗腐蝕性優於碳化鎢和氧化鋁;

►重量輕--密度3.10g/cm3,與鋁接近◕↟,;

►不變形--極小的熱膨脹係數◕↟,

►抗熱震--該材料可承受急劇的溫度變化◕↟,抗熱衝擊◕↟,耐急冷急熱,效能穩定•••。



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►高熱導性--和石墨材料的導熱性相當;

►硬度高--硬度僅次於金剛石•·、立方氮化硼;

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►重量輕--密度3.10g/cm3,與鋁接近◕↟,;

►不變形--極小的熱膨脹係數◕↟,

►抗熱震--該材料可承受急劇的溫度變化◕↟,抗熱衝擊◕↟,耐急冷急熱,效能穩定•••。


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