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瑞樂碳化矽載盤簡介
碳化矽載盤（也成碳化矽托盤）在半導體行業具有廣泛應用₪•✘│，CVD│₪、RTP/RTA│₪、真空濺射│₪、刻蝕│₪、蒸鍍│₪、氣體沉澱等₪•✘│，比如₪•✘│，在對襯底進行刻蝕時₪•✘│，需透過碳化矽載盤承載半導體襯底▩•╃↟╃。
碳化矽載盤材質成分是純SiC（純度＞99.9%）₪•✘│，與石墨基載盤相比₪•✘│，其使用壽命是後者的四倍₪•✘│，且長期使用不變形₪•✘│，穩定性好₪•✘│，能夠耐各種強酸強鹼化學試劑腐蝕（比如FH酸│₪、濃H2SO4）▩•╃↟╃。SiC載盤還具有優秀的導熱性│₪、低膨脹係數₪•✘│，抗熱衝擊性佳₪•✘│，耐電漿衝擊性等特點▩•╃↟╃。
碳化矽載盤是採用高純超細碳化矽微粉₪•✘│，透過靜壓工藝成型│₪、經2450℃高溫燒結而制成▩•╃↟╃。可根據使用者設計圖紙要求進行外徑│₪、厚度尺寸₪•✘│，穴位數量│₪、尺寸│₪、取片槽位置和形狀進行精加工₪•✘│，以滿足使用者的具體使用要求▩•╃↟╃。
8基本引數
內容 | 引數 |
Material: | Pure Silicon | SiC |
Wafer Diameter: | 100/125/150/200/300mm或根據客戶要求定製 |
Wafer Thickness: | 250~750um±25um或根據客戶要求定製 |
Pocket Size & Shape: | 根據客戶要求定製 |
Pocket Depth: | 200~500um或視基盤厚度深度可調 |
Flat/or Notch: | Available |
Others: | 可加工異形槽│₪、方形槽等；根據客戶設計要求定製 |
8主要優勢與特點
碳化矽載盤₪•✘│，可根據不同工藝其名稱不一樣₪•✘│，比如₪•✘│，碳化矽刻蝕盤₪•✘│，ICP刻蝕盤₪•✘│，LED刻蝕用碳化矽托盤（SIC托盤）等▩•╃↟╃。其主要功能特點如下₪☁│：
►耐高溫--1800℃溫度下正常使用；
►高熱導性--和石墨材料的導熱性相當；
►硬度高--硬度僅次於金剛石│₪、立方氮化硼；
►耐腐蝕--強酸│₪、強鹼對其無任何腐蝕₪•✘│，抗腐蝕性優於碳化鎢和氧化鋁；
►重量輕--密度3.10g/cm3,與鋁接近；
►不變形--極小的熱膨脹係數；
►抗熱震--該材料可承受急劇的溫度變化₪•✘│，抗熱衝擊₪•✘│，耐急冷急熱₪•✘│，效能穩定▩•╃↟╃。
8典型應用
·LED晶片製造中的RTP /RTA快速高溫熱處理工藝
·CVD│₪、MOCVD│₪、真空磁控濺射
·刻蝕│₪、蒸鍍│₪、氣體沉澱
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